第四十九章 新材料

　　“氮化鎵GaN？”三人聞言，眼前一亮，這是個(gè)好東西，還有砷化鎵，銻化銦···搞半導(dǎo)體的好材料。

　　“對(duì)，我們用氮化鎵作雷達(dá)的微波元件材料，同時(shí)以碳化硅SiC襯，氮化鎵GaN薄膜外延，襯底碳化硅是由碳和硅兩種元素組成的化合物半導(dǎo)體單晶材料，它具備禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、電子飽和漂移速率高···”

　　“氮化鎵具有極高的熱導(dǎo)率和電子遷移率，能夠在高功率和高溫環(huán)境下穩(wěn)定...